半導(dǎo)體技術(shù)的一個(gè)重要目標(biāo)是減少所有構(gòu)成半導(dǎo)體器件中，晶體和非晶層中固有的和因生產(chǎn)工藝引起的缺陷。雜質(zhì)、晶界、晶面等引起的缺陷會(huì)導(dǎo)致陷阱的產(chǎn)生，陷阱可以俘獲自由電子和空穴。即使?jié)舛确浅５?，陷阱也能ji大地改變半導(dǎo)體器件的性能。數(shù)字化深能級瞬態(tài)譜儀DLTS是現(xiàn)在一種非常通用的技術(shù)，可用于測定與陷阱相關(guān)的幾乎所有參數(shù)，包括密度、熱界面（熱發(fā)射率）、能級和空間剖面等。

主要特點(diǎn)

●快速而靈敏地檢測半導(dǎo)體中的電活性缺陷

●高靈敏度：體陷阱檢測限< 10⁹ atoms/cm³；

●具有低至3微秒的快速響應(yīng)時(shí)間

●具有對過載的快速恢復(fù)能力以及對泄露電流的高免疫能力

●快速溫度掃描能力：每8分鐘100K且不影響靈敏度

●高達(dá)60dB的背景電容抑制能力度 

●數(shù)字采集包括：16位分辨率，1毫秒的采樣增量，50倍的時(shí)間跨度，和不限平均點(diǎn)數(shù)的平均瞬態(tài)

●單次溫度掃描可同時(shí)記錄不同發(fā)射率窗下的8幅譜圖

數(shù)字化深能級瞬態(tài)譜儀DLTS主要應(yīng)用

  ●PN結(jié)                 ●肖特基二極管

  ●MOS管             ●LED

  ●場效應(yīng)管           ●半導(dǎo)體激光器

  ●高電阻率半絕緣材料